Справочник MOSFET. P1003BDF

 

P1003BDF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1003BDF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P1003BDF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1003BDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  unikc
 p1003bdf.pdf pdf_icon

P1003BDF

P1003BDFN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.8m @VGS = 10V30V 62ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C62IDContinuous Drain Current2TC= 100 C39AIDM120Pulsed Drain Current1,2IASAvalanche

 8.1. Size:158K  ape
 ap1003bst.pdf pdf_icon

P1003BDF

AP1003BSTPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 4.7m Low Profile (

 8.2. Size:445K  unikc
 p1003bk.pdf pdf_icon

P1003BDF

P1003BKN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10.5m @VGS = 10V30V 49APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C30(Package Limited)IDContinuous Drain CurrentTC = 25 C(Silicon Limited)

 9.1. Size:370K  unikc
 p1003evg.pdf pdf_icon

P1003BDF

P1003EVGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-30V 10.5m @VGS = -10V -13ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-13IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-9AIDM-50Pulsed Drain C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P0920ATF , P0920BD , P0925AD , P0925BTF , P092ABD , P0950ETF , P0950ETFS , P0990AU , IRF1407 , P1003BK , P1003EK , P1003EVG , P1004BD , P1004BS , P1004HV , P1006BD , P1006BIS .

History: IRF6709S2 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | HGS650N15SL | CS10N65FA9HD | AP70SL1K4AI | VBZL80N08

 

 
Back to Top

 


 
.