P1003BK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1003BK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P1003BK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1003BK даташит

 ..1. Size:445K  unikc
 p1003bk.pdf pdf_icon

P1003BK

P1003BK N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 10.5m @VGS = 10V 30V 49A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 30 (Package Limited) ID Continuous Drain Current TC = 25 C(Silicon Limited)

 8.1. Size:158K  ape
 ap1003bst.pdf pdf_icon

P1003BK

AP1003BST Preliminary Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 4.7m Low Profile (

 8.2. Size:461K  unikc
 p1003bdf.pdf pdf_icon

P1003BK

P1003BDF N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9.8m @VGS = 10V 30V 62A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 62 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 39 A IDM 120 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche

 9.1. Size:370K  unikc
 p1003evg.pdf pdf_icon

P1003BK

P1003EVG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 10.5m @VGS = -10V -13A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -13 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -9 A IDM -50 Pulsed Drain C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P0920BD, P0925AD, P0925BTF, P092ABD, P0950ETF, P0950ETFS, P0990AU, P1003BDF, STP80NF70, P1003EK, P1003EVG, P1004BD, P1004BS, P1004HV, P1006BD, P1006BIS, P1006BK