P1003EK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1003EK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 566 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P1003EK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1003EK даташит

 ..1. Size:518K  unikc
 p1003ek.pdf pdf_icon

P1003EK

P1003EK P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 10.5m @VGS = -10V -30V -30A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C(Package Limited) -30 TC = 25 ID C (Silicon Limited) Continuou

 8.1. Size:370K  unikc
 p1003evg.pdf pdf_icon

P1003EK

P1003EVG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 10.5m @VGS = -10V -13A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -13 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -9 A IDM -50 Pulsed Drain C

 9.1. Size:158K  ape
 ap1003bst.pdf pdf_icon

P1003EK

AP1003BST Preliminary Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 4.7m Low Profile (

 9.2. Size:461K  unikc
 p1003bdf.pdf pdf_icon

P1003EK

P1003BDF N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9.8m @VGS = 10V 30V 62A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C 62 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 39 A IDM 120 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P0925AD, P0925BTF, P092ABD, P0950ETF, P0950ETFS, P0990AU, P1003BDF, P1003BK, 5N60, P1003EVG, P1004BD, P1004BS, P1004HV, P1006BD, P1006BIS, P1006BK, P1006BT