Справочник MOSFET. P1003EVG

 

P1003EVG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P1003EVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1218 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для P1003EVG

 

 

P1003EVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  unikc
 p1003evg.pdf

P1003EVG P1003EVG

P1003EVGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-30V 10.5m @VGS = -10V -13ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-13IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-9AIDM-50Pulsed Drain C

 8.1. Size:518K  unikc
 p1003ek.pdf

P1003EVG P1003EVG

P1003EKP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10.5m @VGS = -10V-30V -30APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C(Package Limited)-30TC = 25 IDC (Silicon Limited)Continuou

 9.1. Size:158K  ape
 ap1003bst.pdf

P1003EVG P1003EVG

AP1003BSTPreliminaryAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lead-Free Package D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 4.7m Low Profile (

 9.2. Size:461K  unikc
 p1003bdf.pdf

P1003EVG P1003EVG

P1003BDFN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.8m @VGS = 10V30V 62ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C62IDContinuous Drain Current2TC= 100 C39AIDM120Pulsed Drain Current1,2IASAvalanche

 9.3. Size:445K  unikc
 p1003bk.pdf

P1003EVG P1003EVG

P1003BKN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10.5m @VGS = 10V30V 49APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C30(Package Limited)IDContinuous Drain CurrentTC = 25 C(Silicon Limited)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top