P1004HV - описание и поиск аналогов

 

P1004HV - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P1004HV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 24 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 273 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P1004HV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1004HV технические параметры

 ..1. Size:355K  unikc
p1004hv.pdfpdf_icon

P1004HV

P1004HV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 13m @VGS = 10V 10A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 24 TA = 25 C 10 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 8 A IDM 40 Pulsed Drain Current1 I

 9.1. Size:133K  ape
ap1004cmx.pdfpdf_icon

P1004HV

AP1004CMX Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ultra-low Forward Diode D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 1.8m Low Profile (

 9.2. Size:561K  unikc
p1004bd.pdfpdf_icon

P1004HV

P1004BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 10m @VGS = 10V 40V 55A TO-252 100% Rg tested 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 55 ID Continuous Drain Current TC = 70 C 44 A

 9.3. Size:443K  unikc
p1004bs.pdfpdf_icon

P1004HV

P1004BS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 11m @VGS = 10V 40V 53A TO-263 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 53 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 34 A IDM 159 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 40

Другие MOSFET... P0950ETFS , P0990AU , P1003BDF , P1003BK , P1003EK , P1003EVG , P1004BD , P1004BS , IRF1407 , P1006BD , P1006BIS , P1006BK , P1006BT , P1006BTF , P1006BTFS , P1060AT , P1060ATF .

 

 
Back to Top

 


 
.