P1004HV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1004HV  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 24 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 273 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P1004HV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1004HV даташит

 ..1. Size:355K  unikc
 p1004hv.pdf pdf_icon

P1004HV

P1004HV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 13m @VGS = 10V 10A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 24 TA = 25 C 10 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 8 A IDM 40 Pulsed Drain Current1 I

 9.1. Size:133K  ape
 ap1004cmx.pdf pdf_icon

P1004HV

AP1004CMX Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ultra-low Forward Diode D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 1.8m Low Profile (

 9.2. Size:561K  unikc
 p1004bd.pdf pdf_icon

P1004HV

P1004BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 10m @VGS = 10V 40V 55A TO-252 100% Rg tested 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 55 ID Continuous Drain Current TC = 70 C 44 A

 9.3. Size:443K  unikc
 p1004bs.pdf pdf_icon

P1004HV

P1004BS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 11m @VGS = 10V 40V 53A TO-263 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 53 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 34 A IDM 159 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 40

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P0950ETFS, P0990AU, P1003BDF, P1003BK, P1003EK, P1003EVG, P1004BD, P1004BS, 10N65, P1006BD, P1006BIS, P1006BK, P1006BT, P1006BTF, P1006BTFS, P1060AT, P1060ATF