Справочник MOSFET. P1004HV

 

P1004HV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P1004HV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 24 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 273 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для P1004HV

 

 

P1004HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  unikc
 p1004hv.pdf

P1004HV P1004HV

P1004HVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID40V 13m @VGS = 10V 10ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 24TA = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C8AIDM40Pulsed Drain Current1I

 9.1. Size:133K  ape
 ap1004cmx.pdf

P1004HV P1004HV

AP1004CMXHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Ultra-low Forward Diode D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 1.8m Low Profile (

 9.2. Size:561K  unikc
 p1004bd.pdf

P1004HV P1004HV

P1004BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10m @VGS = 10V40V 55ATO-252100% Rg tested100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C55IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C44A

 9.3. Size:443K  unikc
 p1004bs.pdf

P1004HV P1004HV

P1004BS N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID11m @VGS = 10V40V 53A TO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C53IDContinuous Drain Current2TC = 100 C34AIDM159Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 40

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top