P1060ETFS - аналоги и даташиты транзистора

 

P1060ETFS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P1060ETFS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.77 Ohm
   Тип корпуса: TO220FS
 

 Аналог (замена) для P1060ETFS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1060ETFS Datasheet (PDF)

 6.1. Size:885K  unikc
 p1060etf-s.pdf pdf_icon

P1060ETFS

P1060ETF / P1060ETFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.77 @VGS = 10V600V 10ATO-220F TO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC= 25 C10IDContinuous Drain Current2TC= 100 C6AIDM

 6.2. Size:235K  niko-sem
 p1060etfna.pdf pdf_icon

P1060ETFS

P1060ETFNA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-220FN Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G600V 0.75 10A 3. SOURCE S100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Vol

 9.1. Size:523K  unikc
 p1060atf-s.pdf pdf_icon

P1060ETFS

P1060ATF(S)N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.75 @VGS = 10V600V 10A100% UIS testedTO-220F(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC= 25 C10IDContinuous Drain Current2TC= 100 C6.2AIDM

 9.2. Size:462K  unikc
 p1060at.pdf pdf_icon

P1060ETFS

P1060ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID600V 0.75 @VGS = 10V 10ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C10IDContinuous Drain Current2TC = 100 C6AIDM40Pulsed Drain Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P1006BK , P1006BT , P1006BTF , P1006BTFS , P1060AT , P1060ATF , P1060ATFS , P1060ETF , IRF2807 , P1065AT , P1065ATF , P106AAT , P1070ATF , P1070ATFS , P1103BEA , P1103BVG , P117AATX .

 

 
Back to Top

 


 
.