P1070ATFS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1070ATFS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220FS

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P1070ATFS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1070ATFS даташит

 6.1. Size:830K  unikc
 p1070atf-s.pdf pdf_icon

P1070ATFS

P1070ATF / P1070ATFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.85 @VGS = 10V 700V 10A TO-220F TO-220FS 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 700 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 10 ID Continuous Drain Current2 TC = 100

Другие IGBT... P1060ATF, P1060ATFS, P1060ETF, P1060ETFS, P1065AT, P1065ATF, P106AAT, P1070ATF, IRF730, P1103BEA, P1103BVG, P117AATX, P1203BD, P1203BEA, P1203BKA, P1203BV, P1203ED