P1203BD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1203BD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P1203BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1203BD даташит

 ..1. Size:426K  unikc
 p1203bd.pdf pdf_icon

P1203BD

P1203BD N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = 10V 30V 48A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 48 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 30 A IDM 144 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Cu

 8.1. Size:451K  unikc
 p1203bv.pdf pdf_icon

P1203BD

P1203BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = 10V 30V 11A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 11 ID Continuous Drain Current2 TA = 100 C 7 A IDM 40 Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:452K  unikc
 p1203bka.pdf pdf_icon

P1203BD

P1203BKA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 11.8m @VGS = 10V 30V 39A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 39 TC = 100 C 24 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 11 A TA =

 8.3. Size:472K  unikc
 p1203bea.pdf pdf_icon

P1203BD

P1203BEA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = 10V 30V 35A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 35 TC = 100 C 22 ID Continuous Drain Current TA = 25 C 12 A TA =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P1065AT, P1065ATF, P106AAT, P1070ATF, P1070ATFS, P1103BEA, P1103BVG, P117AATX, IRL3713, P1203BEA, P1203BKA, P1203BV, P1203ED, P1203EEA, P1203EK, P1203EV, P1203EVG