Справочник MOSFET. P1203EEA

 

P1203EEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1203EEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 437 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для P1203EEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1203EEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:904K  unikc
p1203eea.pdfpdf_icon

P1203EEA

P1203EEAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = -10V -30V -40APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25 TC = 25 C-40 TC = 100 C-25IDContinuous Drain Current2 TA = 25

 ..2. Size:503K  niko-sem
p1203eea.pdfpdf_icon

P1203EEA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode P1203EEA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG : GATE -30V 12m -40A D : DRAIN S : SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V G

 8.1. Size:349K  unikc
p1203evg.pdfpdf_icon

P1203EEA

P1203EVGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-30V 12m @VGS = -10V -12ASOP- 08100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-12IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-9AIDM-50

 8.2. Size:513K  unikc
p1203ek.pdfpdf_icon

P1203EEA

P1203EKP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = 10V-30V -40APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C-40TC = 100 C-25IDContinuous Drain CurrentTA = 25 C

Другие MOSFET... P1103BEA , P1103BVG , P117AATX , P1203BD , P1203BEA , P1203BKA , P1203BV , P1203ED , 60N06 , P1203EK , P1203EV , P1203EVG , P1210BK , P1212AT , P1260AT , P1260ATF , P1308AK .

History: NTD4860N-1G | SI1431DH | HGK018N06S

 

 
Back to Top

 


 
.