P1504BVG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1504BVG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P1504BVG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1504BVG даташит

 ..1. Size:477K  unikc
 p1504bvg.pdf pdf_icon

P1504BVG

P1504BVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = 10V 40V 9A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 7.5 A IDM 35 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 32 EAS

 8.1. Size:764K  unikc
 p1504bdg.pdf pdf_icon

P1504BVG

P1504BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = 10V 40V 40A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 40 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 25 A IDM 85 Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:647K  unikc
 p1504edg.pdf pdf_icon

P1504BVG

P1504EDG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = -10V -45A -40V 100% Rg tested 100% UIS tested TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA= 25 C -45 ID Continuous Drain Current TA= 70 C

 9.2. Size:534K  unikc
 p1504hv.pdf pdf_icon

P1504BVG

P1504HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 23m @VGS = 10V 40V 7A 100% UIS tested SOP-8 100% Rg tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C 7 ID Continuous Drain Current TA= 100 C 4 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P1402CDG, P1403CV, P1403EK, P1403EV8, P1503BVG, P1503HK, P1503HV, P1504BDG, 50N06, P1504EDG, P1504EIS, P1504HV, P1510ATG, P1520ED, P1603BD, P1603BEB, P1603BEBA