P1603BD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P1603BD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P1603BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1603BD даташит

 ..1. Size:534K  unikc
 p1603bd.pdf pdf_icon

P1603BD

P1603BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 14m @VGS = 10V 30V 40A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 40 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 32 A IDM 150 Pulsed Drain Current1

 8.1. Size:221K  unikc
 p1603beb.pdf pdf_icon

P1603BD

P1603BEB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 16m @VGS = 10V 30V 21A PDFN 2X2S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 21 TC = 100 C 17 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 8 A TA= 70

 8.2. Size:456K  unikc
 p1603beba.pdf pdf_icon

P1603BD

P1603BEBA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 16m @VGS = 10V 30V 24A PDFN 2X2S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 24 TC = 100 C 15 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 8.8 A TA=

 8.3. Size:681K  unikc
 p1603bebb.pdf pdf_icon

P1603BD

P1603BEBB N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 16m @VGS = 10V 30V 24A PDFN 2X2S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 24 TC = 100 C 15 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 8.2 A TA=

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P1503HV, P1504BDG, P1504BVG, P1504EDG, P1504EIS, P1504HV, P1510ATG, P1520ED, IRFP260N, P1603BEB, P1603BEBA, P1603BEBB, P1603BV, P1603BVA, P1604ED, P1604ET, P1604ETF