Справочник MOSFET. P1603BVA

 

P1603BVA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1603BVA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P1603BVA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1603BVA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  unikc
 p1603bva.pdf pdf_icon

P1603BVA

P1603BVAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = 10V30V 9.4ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C9.4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C7.5AIDM50Pulsed Drain Current

 7.1. Size:336K  unikc
 p1603bv.pdf pdf_icon

P1603BVA

P1603BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 16m @VGS = 10V 10ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C8AIDM55Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 23EAS

 8.1. Size:221K  unikc
 p1603beb.pdf pdf_icon

P1603BVA

P1603BEBN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID316m @VGS = 10V30V 21APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C21TC = 100 C17IDContinuous Drain Current3TA = 25 C8ATA= 70

 8.2. Size:456K  unikc
 p1603beba.pdf pdf_icon

P1603BVA

P1603BEBAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID316m @VGS = 10V30V 24APDFN 2X2SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C24TC = 100 C15IDContinuous Drain Current3TA = 25 C8.8ATA=

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P1504HV , P1510ATG , P1520ED , P1603BD , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , IRFB4227 , P1604ED , P1604ET , P1604ETF , P1606BD , P1610AD , P1610AT , P1703BDG , P2610ADG .

History: 2SK2498 | IPD80R450P7 | FQD6N60CTM | 2SK4067I | PS04P30SB | STF18N65M2 | SSM3K04FU

 

 
Back to Top

 


 
.