Справочник MOSFET. P2610ADG

 

P2610ADG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P2610ADG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P2610ADG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2610ADG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  unikc
p2610adg.pdfpdf_icon

P2610ADG

P2610ADGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID26m @VGS = 10V100V 50ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C50IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C35.5AIDM150Pulsed Drain Cur

 8.1. Size:376K  unikc
p2610atfg.pdfpdf_icon

P2610ADG

P2610ATFGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 26m @VGS = 10V 31ATO-220F100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C31IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C19AIDM130

 8.2. Size:337K  unikc
p2610atg.pdfpdf_icon

P2610ADG

P2610ATGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 26m @VGS = 10V 50ATO-220100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C50IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C31AIDM200Pulsed Drain Current1IASAvalan

 8.3. Size:485K  unikc
p2610ai.pdfpdf_icon

P2610ADG

P2610AIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID26m @VGS = 10V100V 32ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C32IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C20AIDM100Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 53E

Другие MOSFET... P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF , P1606BD , P1610AD , P1610AT , P1703BDG , 7N65 , P2610AI , P2610ATFG , P2610ATG , P2610BD , P2610BS , P2610BT , P2615ATFG , P2615ATG .

History: MCAC16N03 | SSH4N55 | 2SK2717 | TPU60R840C | 2SJ440 | P2004EV | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.