P2610ATFG - аналоги и даташиты транзистора

 

P2610ATFG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P2610ATFG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 887 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для P2610ATFG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2610ATFG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  unikc
 p2610atfg.pdf pdf_icon

P2610ATFG

P2610ATFGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 26m @VGS = 10V 31ATO-220F100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C31IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C19AIDM130

 7.1. Size:337K  unikc
 p2610atg.pdf pdf_icon

P2610ATFG

P2610ATGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 26m @VGS = 10V 50ATO-220100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C50IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C31AIDM200Pulsed Drain Current1IASAvalan

 8.1. Size:446K  unikc
 p2610adg.pdf pdf_icon

P2610ATFG

P2610ADGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID26m @VGS = 10V100V 50ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C50IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C35.5AIDM150Pulsed Drain Cur

 8.2. Size:485K  unikc
 p2610ai.pdf pdf_icon

P2610ATFG

P2610AIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID26m @VGS = 10V100V 32ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C32IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C20AIDM100Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 53E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P1604ET , P1604ETF , P1606BD , P1610AD , P1610AT , P1703BDG , P2610ADG , P2610AI , 2N7000 , P2610ATG , P2610BD , P2610BS , P2610BT , P2615ATFG , P2615ATG , P261AFEA , P261ALV .

History: RSH065N06TB1 | STW88N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.