P3606BD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P3606BD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P3606BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3606BD даташит

 ..1. Size:481K  unikc
 p3606bd.pdf pdf_icon

P3606BD

P3606BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 36m @VGS = 10V 60V 22A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 22 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 14 A IDM 45 Pulsed Drain Current1 I

 ..2. Size:295K  niko-sem
 p3606bd.pdf pdf_icon

P3606BD

P3606BD N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 60V 36m 22A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

 8.1. Size:368K  niko-sem
 p3606bk.pdf pdf_icon

P3606BD

P3606BK NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 60V 40m 17A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Vol

 8.2. Size:303K  niko-sem
 p3606bea.pdf pdf_icon

P3606BD

P3606BEA NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 60V 36m 16A G. GATE D. DRAIN #1 S S S G S. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P1820BD, P1825AD, P1825AT, P2003BDG, P3504BD, P3506DD, P3506DT, P3506DTF, IRFB3607, P3606HK, P4404EDG, P4404EI, P4404ETG, P4404QV, P4404QVT, P5002CDG, P5002CMG