Справочник MOSFET. P4404EDG

 

P4404EDG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P4404EDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
   Время нарастания (tr): 9.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 180 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.044 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для P4404EDG

 

 

P4404EDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  unikc
p4404edg.pdf

P4404EDG
P4404EDG

P4404EDGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID44m @VGS = -10V-40V -20ATO-252100% UIS tested100% Rg testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C

 8.1. Size:497K  unikc
p4404etg.pdf

P4404EDG
P4404EDG

P4404ETGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID44m @VGS = -10V -40V -23ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-23IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-15AIDM-85P

 8.2. Size:586K  unikc
p4404ei.pdf

P4404EDG
P4404EDG

P4404EIP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID44m @VGS = -10V-40V -24A TO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-24IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C-19AIDM-80Pul

 9.1. Size:830K  unikc
p4404qvt.pdf

P4404EDG
P4404EDG

P4404QVTN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel30m @VGS =10V40V 7A N45m @VGS = -10V-40V -5A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 40VDSDrain-Source VoltageP -40VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TA = 25 CP -5IDContinu

 9.2. Size:844K  unikc
p4404qv.pdf

P4404EDG
P4404EDG

P4404QVN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel28m @VGS =10V40V 7A N44m @VGS = -10V-40V -5A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 40VDSDrain-Source VoltageP -40VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TA = 25 CP -5IDContinuo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top