P4404EDG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P4404EDG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P4404EDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P4404EDG даташит

 ..1. Size:514K  unikc
 p4404edg.pdf pdf_icon

P4404EDG

P4404EDG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 44m @VGS = -10V -40V -20A TO-252 100% UIS tested 100% Rg tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C

 8.1. Size:497K  unikc
 p4404etg.pdf pdf_icon

P4404EDG

P4404ETG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 44m @VGS = -10V -40V -23A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -23 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -15 A IDM -85 P

 8.2. Size:586K  unikc
 p4404ei.pdf pdf_icon

P4404EDG

P4404EI P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 44m @VGS = -10V -40V -24A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -24 ID Continuous Drain Current TC = 70 C -19 A IDM -80 Pul

 9.1. Size:830K  unikc
 p4404qvt.pdf pdf_icon

P4404EDG

P4404QVT N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 30m @VGS =10V 40V 7A N 45m @VGS = -10V -40V -5A P SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 40 VDS Drain-Source Voltage P -40 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 7 TA = 25 C P -5 ID Continu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P1825AT, P2003BDG, P3504BD, P3506DD, P3506DT, P3506DTF, P3606BD, P3606HK, IRF530, P4404EI, P4404ETG, P4404QV, P4404QVT, P5002CDG, P5002CMG, P5003QVG, P5003QVT