P4404EI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P4404EI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
Время нарастания (tr): 9.2 ns
Выходная емкость (Cd): 198 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.044 Ohm
Тип корпуса: TO251
P4404EI Datasheet (PDF)
p4404ei.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P4404EIP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID44m @VGS = -10V-40V -24A TO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-24IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C-19AIDM-80Pul
p4404etg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P4404ETGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID44m @VGS = -10V -40V -23ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-23IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-15AIDM-85P
p4404edg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P4404EDGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID44m @VGS = -10V-40V -20ATO-252100% UIS tested100% Rg testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C
p4404qvt.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P4404QVTN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel30m @VGS =10V40V 7A N45m @VGS = -10V-40V -5A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 40VDSDrain-Source VoltageP -40VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TA = 25 CP -5IDContinu
p4404qv.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P4404QVN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel28m @VGS =10V40V 7A N44m @VGS = -10V-40V -5A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 40VDSDrain-Source VoltageP -40VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TA = 25 CP -5IDContinuo
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![P4404EI](https://alltransistors.com/images/us.png)
![P4404EI](https://alltransistors.com/images/es.png)
![P4404EI](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C