P4404EI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P4404EI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
Тип корпуса: TO251
P4404EI Datasheet (PDF)
p4404ei.pdf
P4404EIP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID44m @VGS = -10V-40V -24A TO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-24IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C-19AIDM-80Pul
p4404etg.pdf
P4404ETGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID44m @VGS = -10V -40V -23ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-23IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-15AIDM-85P
p4404edg.pdf
P4404EDGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID44m @VGS = -10V-40V -20ATO-252100% UIS tested100% Rg testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-20IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C
p4404qvt.pdf
P4404QVTN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel30m @VGS =10V40V 7A N45m @VGS = -10V-40V -5A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 40VDSDrain-Source VoltageP -40VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TA = 25 CP -5IDContinu
p4404qv.pdf
P4404QVN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel28m @VGS =10V40V 7A N44m @VGS = -10V-40V -5A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 40VDSDrain-Source VoltageP -40VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TA = 25 CP -5IDContinuo
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918