Справочник MOSFET. P5010AD

 

P5010AD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P5010AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 207 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P5010AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:575K  unikc
 p5010ad.pdf pdf_icon

P5010AD

P5010ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = 10V100V 23ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C23IDContinuous Drain Current1TC = 100 C14AIDM90Pulsed Drain Curren

 8.1. Size:336K  unikc
 p5010as.pdf pdf_icon

P5010AD

P5010AS N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 50m @VGS = 10V 34A TO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C34IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C21AIDM120Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 37

 8.2. Size:351K  unikc
 p5010at.pdf pdf_icon

P5010AD

P5010ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 50m @VGS = 10V 30ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C30IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C18AIDM70Pulsed Drain Current1

 8.3. Size:489K  unikc
 p5010av.pdf pdf_icon

P5010AD

P5010AVN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = 10V100V 5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C5IDContinuous Drain Current1TA = 100 C3AIDM40Pulsed Drain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P4404EI , P4404ETG , P4404QV , P4404QVT , P5002CDG , P5002CMG , P5003QVG , P5003QVT , 13N50 , P5010AS , P5010AT , P2003BE , P2003BEA , P2003BEAA , P2003BT , P2003BV , P2003BVG .

 

 
Back to Top

 


 
.