P5010AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P5010AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для P5010AT
P5010AT Datasheet (PDF)
p5010at.pdf

P5010ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 50m @VGS = 10V 30ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C30IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C18AIDM70Pulsed Drain Current1
p5010as.pdf

P5010AS N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 50m @VGS = 10V 34A TO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C34IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C21AIDM120Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 37
p5010av.pdf

P5010AVN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = 10V100V 5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C5IDContinuous Drain Current1TA = 100 C3AIDM40Pulsed Drain
p5010ad.pdf

P5010ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = 10V100V 23ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C23IDContinuous Drain Current1TC = 100 C14AIDM90Pulsed Drain Curren
Другие MOSFET... P4404QV , P4404QVT , P5002CDG , P5002CMG , P5003QVG , P5003QVT , P5010AD , P5010AS , P0903BDG , P2003BE , P2003BEA , P2003BEAA , P2003BT , P2003BV , P2003BVG , P2003BVT , P2003ED .
History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E
History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793