P2003BV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P2003BV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для P2003BV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2003BV даташит

 ..1. Size:475K  unikc
 p2003bv.pdf pdf_icon

P2003BV

P2003BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = 10V 30V 8.5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 8.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 6.8 A IDM 30 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 17

 0.1. Size:500K  unikc
 p2003bvg.pdf pdf_icon

P2003BV

P2003BVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = 10V 30V 9A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 7 A IDM 32 Pulsed Drain Current1 IAS

 0.2. Size:547K  unikc
 p2003bvt.pdf pdf_icon

P2003BV

P2003BVT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = 10V 30V 9A 100% Rg tested 100% UIS tested SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 7 A ID

 8.1. Size:341K  unikc
 p2003bea.pdf pdf_icon

P2003BV

P2003BEA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = 10V 30V 10A PDFN 3x3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 TC = 25 C 28 TC = 100 C 18 ID Continuous Drain Current TA = 25 C 10 A TA =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P5003QVT, P5010AD, P5010AS, P5010AT, P2003BE, P2003BEA, P2003BEAA, P2003BT, SI2302, P2003BVG, P2003BVT, P2003ED, P2003EEA, P2003EEAA, P2003ETF, P2003EV, P2003EV8