P2003BVT - аналоги и даташиты транзистора

 

P2003BVT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P2003BVT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P2003BVT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2003BVT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  unikc
 p2003bvt.pdf pdf_icon

P2003BVT

P2003BVTN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 9A100% Rg tested100% UIS testedSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C7AID

 7.1. Size:500K  unikc
 p2003bvg.pdf pdf_icon

P2003BVT

P2003BVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 9ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C7AIDM32Pulsed Drain Current1IAS

 7.2. Size:475K  unikc
 p2003bv.pdf pdf_icon

P2003BVT

P2003BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 8.5ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C8.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C6.8AIDM30Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 17

 8.1. Size:341K  unikc
 p2003bea.pdf pdf_icon

P2003BVT

P2003BEAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 10APDFN 3x3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS30VGate-Source Voltage VGS20 TC = 25 C28 TC = 100 C18IDContinuous Drain Current TA = 25 C10A TA =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P5010AS , P5010AT , P2003BE , P2003BEA , P2003BEAA , P2003BT , P2003BV , P2003BVG , 18N50 , P2003ED , P2003EEA , P2003EEAA , P2003ETF , P2003EV , P2003EV8 , P2003EVG , P2003EVT .

History: IPB60R280C6 | P2003EEA | P2003EV | IPB60R299CPA | AON7220 | P2003EEAA

 

 
Back to Top

 


 
.