P2003EVG - аналоги и даташиты транзистора

 

P2003EVG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P2003EVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P2003EVG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2003EVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:491K  unikc
 p2003evg.pdf pdf_icon

P2003EVG

P2003EVGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -10V -30V -9ASOP- 08100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-7

 ..2. Size:312K  niko-sem
 p2003evg.pdf pdf_icon

P2003EVG

P-Channel Logic Level Enhancement P2003EVGNIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOP-8 Halogen-Free & Lead-FreeD4 :GATE PRODUCT SUMMARY 5,6,7,8 :DRAIN 1,2,3 :SOURCEV(BR)DSS RDS(ON) ID G-30 20m -9A S100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -30 VGate-Sou

 7.1. Size:378K  unikc
 p2003ev8.pdf pdf_icon

P2003EVG

P2003EV8P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 20m @VGS = -10V -10ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-10IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-8AIDM-55Pulsed Drain Cu

 7.2. Size:505K  unikc
 p2003evt.pdf pdf_icon

P2003EVG

P2003EVTP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -10V -30V -9A100% UIS testedSOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C-9IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C-8AIDM-32

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P2003BVG , P2003BVT , P2003ED , P2003EEA , P2003EEAA , P2003ETF , P2003EV , P2003EV8 , IRFB31N20D , P2003EVT , P2003HV , P2003KV , P2003NV , P2004EV , P2060ZTF , P2060ZTFS , P2103HVG .

 

 
Back to Top

 


 
.