P2003EVG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P2003EVG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для P2003EVG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2003EVG даташит

 ..1. Size:491K  unikc
 p2003evg.pdf pdf_icon

P2003EVG

P2003EVG P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = -10V -30V -9A SOP- 08 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -9 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -7

 ..2. Size:312K  niko-sem
 p2003evg.pdf pdf_icon

P2003EVG

P-Channel Logic Level Enhancement P2003EVG NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOP-8 Halogen-Free & Lead-Free D 4 GATE PRODUCT SUMMARY 5,6,7,8 DRAIN 1,2,3 SOURCE V(BR)DSS RDS(ON) ID G -30 20m -9A S 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Sou

 7.1. Size:378K  unikc
 p2003ev8.pdf pdf_icon

P2003EVG

P2003EV8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 20m @VGS = -10V -10A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -10 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -8 A IDM -55 Pulsed Drain Cu

 7.2. Size:505K  unikc
 p2003evt.pdf pdf_icon

P2003EVG

P2003EVT P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = -10V -30V -9A 100% UIS tested SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C -9 ID Continuous Drain Current TC = 70 C -8 A IDM -32

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P2003BVG, P2003BVT, P2003ED, P2003EEA, P2003EEAA, P2003ETF, P2003EV, P2003EV8, 8N60, P2003EVT, P2003HV, P2003KV, P2003NV, P2004EV, P2060ZTF, P2060ZTFS, P2103HVG