P8008BDA - аналоги и даташиты транзистора

 

P8008BDA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P8008BDA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для P8008BDA

 

P8008BDA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:736K  unikc
p8008bda.pdfpdf_icon

P8008BDA

P8008BDA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 68m @VGS = 10V 80V 16A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 80 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C 16 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 10 A IDM 50 Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:345K  niko-sem
p8008bda.pdfpdf_icon

P8008BDA

N-Channel Enhancement Mode P8008BDA NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 80V 68m 16A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 80 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 2

 7.1. Size:651K  unikc
p8008bd.pdfpdf_icon

P8008BDA

P8008BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 80m @VGS = 10V 80V 15A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 80 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C 15 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 10 A IDM 60 Pulsed Drain Current1

 8.1. Size:450K  unikc
p8008bva.pdfpdf_icon

P8008BDA

P8008BVA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 68m @VGS = 10V 80V 3.5A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 80 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C 3.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 2.8 A IDM 14 Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... P2202CM , P2202CM6 , P2202CV , P2204ND5G , P2206BD , P2402OV , P2502IZG , P8008BD , MMIS60R580P , P8008BV , P8008BVA , P8008HV , P8008HVA , P8010BD , P8010BIS , P8010BV , P8315AD .

History: DE375-501N21A

 

 
Back to Top

 


 
.