Справочник MOSFET. P8008BDA

 

P8008BDA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P8008BDA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 13.5 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 68 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.068 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для P8008BDA

 

 

P8008BDA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:736K  unikc
 p8008bda.pdf

P8008BDA P8008BDA

P8008BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID68m @VGS = 10V80V 16ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 80VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C16IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C10AIDM50Pulsed Drain Current1

 7.1. Size:651K  unikc
 p8008bd.pdf

P8008BDA P8008BDA

P8008BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID80m @VGS = 10V80V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 80VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C10AIDM60Pulsed Drain Current1

 8.1. Size:450K  unikc
 p8008bva.pdf

P8008BDA P8008BDA

P8008BVAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID68m @VGS = 10V80V 3.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 80VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C2.8AIDM14Pulsed Drain Current

 8.2. Size:477K  unikc
 p8008bv.pdf

P8008BDA P8008BDA

P8008BVN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID80m @VGS = 10V80V 3ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 80VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C3IDContinuous Drain Current1TA = 100 C2AIDMPulsed Drain Curr

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top