Справочник MOSFET. P8010BIS

 

P8010BIS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P8010BIS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для P8010BIS

 

 

P8010BIS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  unikc
 p8010bis.pdf

P8010BIS P8010BIS

P8010BISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V100V 15A1.GATE2.DRAIN3.SOURCETO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C9A

 ..2. Size:303K  niko-sem
 p8010bis.pdf

P8010BIS P8010BIS

N-Channel Enhancement Mode P8010BIS NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-251(IS) Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G100V 85m 15A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V

 8.1. Size:458K  unikc
 p8010bd.pdf

P8010BIS P8010BIS

P8010BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V100V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C9AIDM35Pulsed Drain Current

 8.2. Size:422K  unikc
 p8010bv.pdf

P8010BIS P8010BIS

P8010BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V100V 3.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C3.5IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C2.8AIDM20Pulsed Drain Curre

 8.3. Size:305K  niko-sem
 p8010bd.pdf

P8010BIS P8010BIS

N-Channel Enhancement Mode P8010BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G100V 85m 15A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top