P8010BIS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P8010BIS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P8010BIS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P8010BIS даташит

 ..1. Size:411K  unikc
 p8010bis.pdf pdf_icon

P8010BIS

P8010BIS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 85m @VGS = 10V 100V 15A 1.GATE 2.DRAIN 3.SOURCE TO-251(IS) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 15 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 9 A

 ..2. Size:303K  niko-sem
 p8010bis.pdf pdf_icon

P8010BIS

N-Channel Enhancement Mode P8010BIS NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-251(IS) Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 100V 85m 15A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V

 8.1. Size:458K  unikc
 p8010bd.pdf pdf_icon

P8010BIS

P8010BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 85m @VGS = 10V 100V 15A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 15 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 9 A IDM 35 Pulsed Drain Current

 8.2. Size:422K  unikc
 p8010bv.pdf pdf_icon

P8010BIS

P8010BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 85m @VGS = 10V 100V 3.5A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 3.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 2.8 A IDM 20 Pulsed Drain Curre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P2502IZG, P8008BD, P8008BDA, P8008BV, P8008BVA, P8008HV, P8008HVA, P8010BD, IRF730, P8010BV, P8315AD, P8315ATF, P8315BD, P8503BMA, P8503BMG, P3003EDG, P3004BD