P3203EVG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: P3203EVG 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOP8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для P3203EVG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
P3203EVG даташит
p3203evg.pdf
P3203EVG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 32m @VGS = -10V -8A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -8 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -7 IDM -40 Pulsed Drain Curre
vp3203.pdf
VP3203 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown The Supertex VP3203 is an enhancement-mode (normally- off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure Low power drive requirement and Supertex s well-proven silicon-gate manufacturing Ease of paralleling process. This combination produces a device with
p3203cmg.pdf
P3203CMG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 32m @VGS = 4.5V 30V 6A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 12 TA = 25 C 6 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 A C 5 IDM 30 Pulsed Drain Current1,2
p3203cmg.pdf
P3203CMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G GATE 30 32m 6A G D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 12 V
Другие IGBT... P3004BD, P3004ND5G, P3010BV, P3055LDG, P3055LLG, P3202CMA, P3202CMG, P3203CMG, IRFP260N, P3204HV, P3304EV, P3304QV, P3503EVG, P3710AV, P3710BD, P3710BV, PZ0703ED
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet





