Справочник MOSFET. P3304EV

 

P3304EV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P3304EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P3304EV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3304EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:389K  unikc
 p3304ev.pdf pdf_icon

P3304EV

P3304EVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 33m @VGS = -10V -7ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-7IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-6IDM-30Pulsed Drain Curren

 9.1. Size:788K  unikc
 p3304qv.pdf pdf_icon

P3304EV

P3304QVN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel28m @VGS =10V40V 7A N33m @VGS = -10V-40V -7A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 40VDSDrain-Source VoltageP -40VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TA = 25 CP -7IDContinuo

Другие MOSFET... P3010BV , P3055LDG , P3055LLG , P3202CMA , P3202CMG , P3203CMG , P3203EVG , P3204HV , AON6414A , P3304QV , P3503EVG , P3710AV , P3710BD , P3710BV , PZ0703ED , PZ0703EK , PZ0703EV .

History: CMI80N06 | SRM6N60DTR | 2SJ195 | 2SK868 | BUK9Y29-40E | TK5P50D | GSM4210W

 

 
Back to Top

 


 
.