Справочник MOSFET. P3304EV

 

P3304EV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P3304EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
   Время нарастания (tr): 14 ns
   Выходная емкость (Cd): 450 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для P3304EV

 

 

P3304EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:389K  unikc
p3304ev.pdf

P3304EV P3304EV

P3304EVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 33m @VGS = -10V -7ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-7IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-6IDM-30Pulsed Drain Curren

 9.1. Size:788K  unikc
p3304qv.pdf

P3304EV P3304EV

P3304QVN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel28m @VGS =10V40V 7A N33m @VGS = -10V-40V -7A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 40VDSDrain-Source VoltageP -40VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TA = 25 CP -7IDContinuo

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top