P3304EV - описание и поиск аналогов

 

Аналоги P3304EV. Основные параметры


   Наименование производителя: P3304EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P3304EV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3304EV даташит

 ..1. Size:389K  unikc
p3304ev.pdfpdf_icon

P3304EV

P3304EV P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 33m @VGS = -10V -7A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -7 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -6 IDM -30 Pulsed Drain Curren

 9.1. Size:788K  unikc
p3304qv.pdfpdf_icon

P3304EV

P3304QV N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 28m @VGS =10V 40V 7A N 33m @VGS = -10V -40V -7A P SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 40 VDS Drain-Source Voltage P -40 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 7 TA = 25 C P -7 ID Continuo

Другие MOSFET... P3010BV , P3055LDG , P3055LLG , P3202CMA , P3202CMG , P3203CMG , P3203EVG , P3204HV , IRFB4227 , P3304QV , P3503EVG , P3710AV , P3710BD , P3710BV , PZ0703ED , PZ0703EK , PZ0703EV .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.