P3304QV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P3304QV  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P3304QV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3304QV даташит

 ..1. Size:788K  unikc
 p3304qv.pdf pdf_icon

P3304QV

P3304QV N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 28m @VGS =10V 40V 7A N 33m @VGS = -10V -40V -7A P SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 40 VDS Drain-Source Voltage P -40 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 7 TA = 25 C P -7 ID Continuo

 9.1. Size:389K  unikc
 p3304ev.pdf pdf_icon

P3304QV

P3304EV P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 33m @VGS = -10V -7A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -7 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -6 IDM -30 Pulsed Drain Curren

Другие IGBT... P3055LDG, P3055LLG, P3202CMA, P3202CMG, P3203CMG, P3203EVG, P3204HV, P3304EV, IRF3710, P3503EVG, P3710AV, P3710BD, P3710BV, PZ0703ED, PZ0703EK, PZ0703EV, PZ1003EK