P3710BV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P3710BV  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P3710BV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P3710BV даташит

 ..1. Size:464K  unikc
 p3710bv.pdf pdf_icon

P3710BV

P3710BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 37m @VGS = 10V 100V 5.2A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 5.2 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 4.2 A IDM 40 Pulsed Drain Curren

 ..2. Size:221K  niko-sem
 p3710bv.pdf pdf_icon

P3710BV

P3710BV N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 100V 37m 5.2A G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C

 8.1. Size:748K  unikc
 p3710bd.pdf pdf_icon

P3710BV

P3710BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 37m @VGS = 10V 100V 25A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 25 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 16 A IDM 75 Pulsed Drain Curren

 8.2. Size:345K  niko-sem
 p3710bd.pdf pdf_icon

P3710BV

N-Channel Enhancement Mode P3710BD NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 100V 37m 25A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P3203CMG, P3203EVG, P3204HV, P3304EV, P3304QV, P3503EVG, P3710AV, P3710BD, 2N7000, PZ0703ED, PZ0703EK, PZ0703EV, PZ1003EK, PZ1203EV, PZ2003EEA, PZ2003EV, PZ2103NV