PZ1003EK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZ1003EK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PZ1003EK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ1003EK даташит

 ..1. Size:528K  unikc
 pz1003ek.pdf pdf_icon

PZ1003EK

PZ1003EK P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 10m @VGS = -10V -30V -50A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C -50 ID Continuous Drain Current2,4 TC = 100 C -40 IDM -100 Pulsed Dra

Другие IGBT... P3304QV, P3503EVG, P3710AV, P3710BD, P3710BV, PZ0703ED, PZ0703EK, PZ0703EV, IRFP250N, PZ1203EV, PZ2003EEA, PZ2003EV, PZ2103NV, PZ2503HV, PZ2806HV, PZ2N7002M, PZ3304QV