Справочник MOSFET. PZ1003EK

 

PZ1003EK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZ1003EK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 415 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ1003EK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:528K  unikc
 pz1003ek.pdf pdf_icon

PZ1003EK

PZ1003EKP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10m @VGS = -10V-30V -50APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C-50IDContinuous Drain Current2,4TC = 100 C-40IDM-100Pulsed Dra

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SQS462EN | CJ3134KDW | IRF634PBF | CS8205 | SM4500NHKP | SIR844DP | SLP12N60C

 

 
Back to Top

 


 
.