Справочник MOSFET. PZ1203EV

 

PZ1203EV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZ1203EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 449 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PZ1203EV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ1203EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:525K  unikc
 pz1203ev.pdf pdf_icon

PZ1203EV

PZ1203EVP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = -10V -30V -12ASOP- 8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25TA = 25 C-12IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-9AIDM-50Pul

Другие MOSFET... P3503EVG , P3710AV , P3710BD , P3710BV , PZ0703ED , PZ0703EK , PZ0703EV , PZ1003EK , 7N65 , PZ2003EEA , PZ2003EV , PZ2103NV , PZ2503HV , PZ2806HV , PZ2N7002M , PZ3304QV , PZ509BA .

History: PZ2003EEA | FDU8796

 

 
Back to Top

 


 
.