PZ1203EV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZ1203EV  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 449 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PZ1203EV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ1203EV даташит

 ..1. Size:525K  unikc
 pz1203ev.pdf pdf_icon

PZ1203EV

PZ1203EV P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = -10V -30V -12A SOP- 8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -12 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -9 A IDM -50 Pul

Другие IGBT... P3503EVG, P3710AV, P3710BD, P3710BV, PZ0703ED, PZ0703EK, PZ0703EV, PZ1003EK, IRF630, PZ2003EEA, PZ2003EV, PZ2103NV, PZ2503HV, PZ2806HV, PZ2N7002M, PZ3304QV, PZ509BA