Справочник MOSFET. PI506BZ

 

PI506BZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PI506BZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для PI506BZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PI506BZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  unikc
 pi506bz.pdf pdf_icon

PI506BZ

PI506BZN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 68A1.GATE2.DRAIN3.SOURCETO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C68IDContinuous Drain Current2TC = 100 C43A

 ..2. Size:198K  niko-sem
 pi506bz.pdf pdf_icon

PI506BZ

N-Channel Enhancement Mode PI506BZNIKO-SEM TO-251(IS) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G2. DRAIN 30V 6m 68A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C

Другие MOSFET... PZ513BA , PZ5203EMA , PZ5203QV , PZ558EZ , PE6B0SA , PF610BC , PF610BL , PF610HV , RFP50N06 , PI632BZ , PJ614DA , PC015BD , PC015HV , P2B60AMA , P2E03BK , P4004ED , P4006DV .

History: 2SK2676 | VS80N08AT | VBZE20P06 | HGN042N10A | 2SK2666 | SSW60R140SFD | AFP2323A

 

 
Back to Top

 


 
.