PC015HV datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PC015HV 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: SOP8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PC015HV
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PC015HV даташит
pc015hv.pdf
PC015HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 300m @VGS = 10V 150V 1.6A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 1.6 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 1.3 A IDM 16 Pulsed Drain C
pc015hva.pdf
Dual N-Channel Enhancement Mode PC015HVA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 300m 150V 1.4A G GATE D DRAIN S SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA =
pc015bd.pdf
PC015BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 300m @VGS = 10V 150V 6A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 6 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4 A IDM 15 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Current 5.5
pc015bda.pdf
N-Channel Enhancement Mode PC015BDA NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 150V 300m 6.4A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 6.4 Continuous Drain C
Другие IGBT... PE6B0SA, PF610BC, PF610BL, PF610HV, PI506BZ, PI632BZ, PJ614DA, PC015BD, IRFB3607, P2B60AMA, P2E03BK, P4004ED, P4006DV, P4402FAG, PD0903BEA, PD0903BV, PD0903BVA
History: SSI4N60B | DHS042N15E | PA410BD | AP4604P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934




