P4402FAG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: P4402FAG 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для P4402FAG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
P4402FAG даташит
p4402fag.pdf
P4402FAG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 44m @VGS = -4.5V -5A TSOP- 06 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -4.2 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -3.3 IDM -20 Pulsed Drain
Другие IGBT... PI632BZ, PJ614DA, PC015BD, PC015HV, P2B60AMA, P2E03BK, P4004ED, P4006DV, AON7506, PD0903BEA, PD0903BV, PD0903BVA, PD1203BEA, PD1303YVS, PD1503BV, PD1503YVS, PD1503YVS-A
History: AP4506GEM | AP3800YT | SI5441DC
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643

