PD1503BV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PD1503BV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15.5 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 349 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm
Тип корпуса: SOP8
PD1503BV Datasheet (PDF)
pd1503bv.pdf
PD1503BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 15m @VGS = 10V 12ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C12IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C9AIDM50Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 28EAS
pd1503yvs.pdf
PD1503YVSDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID15.8m @VGS = 10VQ2 30V 9A21.0m @VGS = 10VQ1 30V 8ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 30VGate-Source Voltage VGS 20 20TA = 25 C9 8IDContinuous Drain Current2TA =
pd1503yvs-a.pdf
PD1503YVS-ADual N- Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID15.5m @VGS = 10VQ2 30V 9A18m @VGS = 10VQ1 30V 8ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 30 VVGSGate-Source Voltage 20 20 VTA = 25 C9 8IDContinuous Drain CurrentTA
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
