P2703BAG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: P2703BAG 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для P2703BAG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
P2703BAG даташит
p2703bag.pdf
P2703BAG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 27m @VGS = 10V 7A TSOP- 06 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 7 ID Continuous Drain Current1 TA = 70 C 4.5 A IDM 35 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 17 EA
Другие IGBT... PD0903BEA, PD0903BV, PD0903BVA, PD1203BEA, PD1303YVS, PD1503BV, PD1503YVS, PD1503YVS-A, 2SK3568, P2710AD, PM505BA, PM506BA, PM509BA, PM513BA, PM514BA, PM516BA, PM516BZ
History: WCM2079 | DHS110N15 | AFN8816 | AFN8832
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747

