PM513BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PM513BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PM513BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PM513BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM513BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  unikc
 pm513ba.pdf pdf_icon

PM513BA

PM513BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100m @VGS = -4.5V-20V -3ASOT-23 (S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20 VVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C-3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.4IDM-20Pulsed Drain

 ..2. Size:186K  niko-sem
 pm513ba.pdf pdf_icon

PM513BA

PM513BA P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1: GATE G2: DRAIN -20V 100m -3A 3: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 8 V TA

Другие MOSFET... PD1503BV , PD1503YVS , PD1503YVS-A , P2703BAG , P2710AD , PM505BA , PM506BA , PM509BA , 7N60 , PM514BA , PM516BA , PM516BZ , PM523BA , PM550BA , PM557BA , PM560BZ , PM561BA .

 

 
Back to Top

 


 
.