PM513BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PM513BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PM513BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM513BA даташит

 ..1. Size:462K  unikc
 pm513ba.pdf pdf_icon

PM513BA

PM513BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100m @VGS = -4.5V -20V -3A SOT-23 (S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C -3 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.4 IDM -20 Pulsed Drain

 ..2. Size:186K  niko-sem
 pm513ba.pdf pdf_icon

PM513BA

PM513BA P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 GATE G 2 DRAIN -20V 100m -3A 3 SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 8 V TA

Другие IGBT... PD1503BV, PD1503YVS, PD1503YVS-A, P2703BAG, P2710AD, PM505BA, PM506BA, PM509BA, AO3407, PM514BA, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA, PM560BZ, PM561BA