PM513BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PM513BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.3 nC
Время нарастания (tr): 38 ns
Выходная емкость (Cd): 56 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PM513BA Datasheet (PDF)
pm513ba.pdf
PM513BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100m @VGS = -4.5V-20V -3ASOT-23 (S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20 VVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C-3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.4IDM-20Pulsed Drain
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .