P2503HVG - аналоги и даташиты транзистора

 

P2503HVG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P2503HVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для P2503HVG

 

P2503HVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  unikc
 p2503hvg.pdf pdf_icon

P2503HVG

P2503HVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 25m @VGS = 10V 7A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Current1,2

 8.1. Size:793K  unikc
 p2503hea.pdf pdf_icon

P2503HVG

P2503HEA Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = 10V 30V 8A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 8 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 6 A IDM 60 Pulsed Drain Cu

 9.1. Size:723K  unikc
 p2503nvg.pdf pdf_icon

P2503HVG

P2503NVG N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 25m @VGS =10V 30V 7A N 45m @VGS = -10V -30V -5A P SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 7 TA = 25 C P -5 ID Continu

 9.2. Size:573K  unikc
 p2503bdg.pdf pdf_icon

P2503HVG

P2503BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 25m @VGS = 10V 30V 12A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 12 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 10 A IDM 30 Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PM557BA , PM560BZ , PM561BA , PM597BA , PM600BZ , PM606BA , P2503BDG , P2503HEA , IRF1405 , P2503NVG , P2504BDG , P2504EDG , P2504EI , P2804BDG , P2804BI , P2804BVG , P2804HVG .

 

 
Back to Top

 


 
.