P2503HVG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P2503HVG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P2503HVG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2503HVG даташит

 ..1. Size:323K  unikc
 p2503hvg.pdf pdf_icon

P2503HVG

P2503HVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 25m @VGS = 10V 7A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Current1,2

 8.1. Size:793K  unikc
 p2503hea.pdf pdf_icon

P2503HVG

P2503HEA Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = 10V 30V 8A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 8 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 6 A IDM 60 Pulsed Drain Cu

 9.1. Size:723K  unikc
 p2503nvg.pdf pdf_icon

P2503HVG

P2503NVG N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 25m @VGS =10V 30V 7A N 45m @VGS = -10V -30V -5A P SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 7 TA = 25 C P -5 ID Continu

 9.2. Size:573K  unikc
 p2503bdg.pdf pdf_icon

P2503HVG

P2503BDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 25m @VGS = 10V 30V 12A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 12 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 10 A IDM 30 Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PM557BA, PM560BZ, PM561BA, PM597BA, PM600BZ, PM606BA, P2503BDG, P2503HEA, IRF1405, P2503NVG, P2504BDG, P2504EDG, P2504EI, P2804BDG, P2804BI, P2804BVG, P2804HVG