Справочник MOSFET. P2503NVG

 

P2503NVG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P2503NVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
   Время нарастания (tr): 7.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 107 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для P2503NVG

 

 

P2503NVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:723K  unikc
p2503nvg.pdf

P2503NVG
P2503NVG

P2503NVGN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel25m @VGS =10V30V 7A N45m @VGS = -10V-30V -5A PSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TA = 25 CP -5IDContinu

 9.1. Size:793K  unikc
p2503hea.pdf

P2503NVG
P2503NVG

P2503HEADual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = 10V30V 8APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20 TA = 25 C8IDContinuous Drain Current TA = 70 C6AIDM60Pulsed Drain Cu

 9.2. Size:323K  unikc
p2503hvg.pdf

P2503NVG
P2503NVG

P2503HVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 25m @VGS = 10V 7ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C7IDContinuous Drain Current2TA = 70 C5AIDM30Pulsed Drain Current1,2

 9.3. Size:573K  unikc
p2503bdg.pdf

P2503NVG
P2503NVG

P2503BDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID25m @VGS = 10V30V 12ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C12IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C10AIDM30Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top