P2806HV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P2806HV  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P2806HV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2806HV даташит

 ..1. Size:340K  unikc
 p2806hv.pdf pdf_icon

P2806HV

P2806HV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 28m @VGS = 10V 6A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 6 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Current1 IAS

 ..2. Size:828K  cn vbsemi
 p2806hv.pdf pdf_icon

P2806HV

P2806HV www.VBsemi.com Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Channel

 9.1. Size:380K  unikc
 p2806atf.pdf pdf_icon

P2806HV

P2806ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 30m @VGS = 10V 27A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 27 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 17 A IDM 105 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 29 E

 9.2. Size:478K  unikc
 p2806bv.pdf pdf_icon

P2806HV

P2806BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 28m @VGS = 10V 60V 7A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 7 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 5 A IDM 35 Pulsed Drain Current1 IAS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P2804BVG, P2804HVG, P2804ND5G, P2804NVG, P2806AT, P2806ATF, P2806BD, P2806BV, 60N06, P5102FM, P5102FM6, P5102FMA, P5102FMNV, P5103EAG, P5103EMA, P5103EMG, P5503QV