P5102FM6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P5102FM6  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P5102FM6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P5102FM6 даташит

 ..1. Size:483K  unikc
 p5102fm6.pdf pdf_icon

P5102FM6

P5102FM6 P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 51m @VGS = -4.5V -20V -4.2A SOT-23-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -4.2 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -3.3 A IDM -21 Pulsed Dra

 7.1. Size:539K  unikc
 p5102fm.pdf pdf_icon

P5102FM6

P5102FM P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 45m @VGS = -4.5V -20V -3.5A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -3.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.8 IDM -21 Pulsed Drain

 7.2. Size:529K  unikc
 p5102fmnv.pdf pdf_icon

P5102FM6

P5102FMNV P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 45m @VGS = -4.5V -20V -3.5A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -3.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.8 IDM -21 Pulsed Drai

 7.3. Size:790K  unikc
 p5102fma.pdf pdf_icon

P5102FM6

P5102FMA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 45m @VGS = -4.5V -20V -3.5A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -3.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.8 IDM -21 Pulsed Dra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P2804ND5G, P2804NVG, P2806AT, P2806ATF, P2806BD, P2806BV, P2806HV, P5102FM, AO4468, P5102FMA, P5102FMNV, P5103EAG, P5103EMA, P5103EMG, P5503QV, P5504EDG, P5504EVG