P5102FMNV - аналоги и даташиты транзистора

 

P5102FMNV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P5102FMNV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для P5102FMNV

 

P5102FMNV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:529K  unikc
 p5102fmnv.pdf pdf_icon

P5102FMNV

P5102FMNV P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 45m @VGS = -4.5V -20V -3.5A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -3.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.8 IDM -21 Pulsed Drai

 7.1. Size:539K  unikc
 p5102fm.pdf pdf_icon

P5102FMNV

P5102FM P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 45m @VGS = -4.5V -20V -3.5A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -3.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.8 IDM -21 Pulsed Drain

 7.2. Size:483K  unikc
 p5102fm6.pdf pdf_icon

P5102FMNV

P5102FM6 P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 51m @VGS = -4.5V -20V -4.2A SOT-23-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -4.2 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -3.3 A IDM -21 Pulsed Dra

 7.3. Size:790K  unikc
 p5102fma.pdf pdf_icon

P5102FMNV

P5102FMA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 45m @VGS = -4.5V -20V -3.5A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C -3.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -2.8 IDM -21 Pulsed Dra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P2806AT , P2806ATF , P2806BD , P2806BV , P2806HV , P5102FM , P5102FM6 , P5102FMA , IRFZ44N , P5103EAG , P5103EMA , P5103EMG , P5503QV , P5504EDG , P5504EVG , P5506BDG , P5506BVG .

 

 
Back to Top

 


 
.