Справочник MOSFET. P5103EMG

 

P5103EMG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P5103EMG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P5103EMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:755K  unikc
 p5103emg.pdf pdf_icon

P5103EMG

P5103EMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -10V-30V -3.8ASOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-3.8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3IDM-20Pul

 7.1. Size:430K  unikc
 p5103ema.pdf pdf_icon

P5103EMG

P5103EMAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -10V-30V -3.8ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-3.8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-3IDM-20Pulsed Drain

 8.1. Size:486K  unikc
 p5103eag.pdf pdf_icon

P5103EMG

P5103EAGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID51m @VGS = -10V-30V -5ATSOP- 06ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VGSGate-Source Voltage 20 VDrain-Gate Voltage (RGS=20K VDG-30TA = 25 C-5IDContinuous Drain CurrentTA = 7

 9.1. Size:302K  cystek
 mtp5103j3.pdf pdf_icon

P5103EMG

Spec. No. : C400J3 Issued Date : 2012.02.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP5103J3 ID -23A35m(typ.)RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 57m(typ.)Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-5A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STB31N65M5 | IRFS340A | STB11NM80 | 2SK753 | 3SK292

 

 
Back to Top

 


 
.