Справочник MOSFET. P2803BMG

 

P2803BMG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P2803BMG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для P2803BMG

 

 

P2803BMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  unikc
 p2803bmg.pdf

P2803BMG P2803BMG

P2803BMGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 28m @VGS = 10V 6ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSGate-Source Voltage VGS20 VTA = 25 C6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C4AIDM30Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 21L = 0.

 9.1. Size:324K  unikc
 p2803hvg.pdf

P2803BMG P2803BMG

P2803HVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 27.5m @VGS = 10V 6.5ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C6.5IDContinuous Drain Current2TA = 70 C5AIDM30Pulsed Drain Curre

 9.2. Size:547K  unikc
 p2803nvg.pdf

P2803BMG P2803BMG

P2803NVGN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel27.5m @VGS = 10V30V 7A N34m @VGS = -10V-30V -6A PSOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TC = 25 CP -6IDCo

 9.3. Size:315K  kia
 knp2803a knb2803a knd2803a kny2803a.pdf

P2803BMG P2803BMG

150A30VKNX2803AN-CHANNEL MOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =2.2mtyp.@ V =10VDS(on) GS Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant2. FeaturesKNX2803A designed by the trench processing techniques to achieve extremely l

 9.4. Size:219K  kia
 knp2803a knb2803a knd2803a.pdf

P2803BMG P2803BMG

150A30VKNX2803AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =2.2mtyp.@V =10VDS(on) GS LowOn-Resistance Fast Switching 100%AvalancheTested RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free, RoHSCompliant2. FeaturesKNX2803A designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance.Addition

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top