P2803NVG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P2803NVG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 105 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0275 Ohm
Тип корпуса: SOP8
P2803NVG Datasheet (PDF)
p2803nvg.pdf
P2803NVGN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel27.5m @VGS = 10V30V 7A N34m @VGS = -10V-30V -6A PSOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TC = 25 CP -6IDCo
p2803hvg.pdf
P2803HVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 27.5m @VGS = 10V 6.5ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C6.5IDContinuous Drain Current2TA = 70 C5AIDM30Pulsed Drain Curre
p2803bmg.pdf
P2803BMGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 28m @VGS = 10V 6ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSGate-Source Voltage VGS20 VTA = 25 C6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C4AIDM30Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 21L = 0.
knp2803a knb2803a knd2803a kny2803a.pdf
150A30VKNX2803AN-CHANNEL MOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =2.2mtyp.@ V =10VDS(on) GS Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant2. FeaturesKNX2803A designed by the trench processing techniques to achieve extremely l
knp2803a knb2803a knd2803a.pdf
150A30VKNX2803AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =2.2mtyp.@V =10VDS(on) GS LowOn-Resistance Fast Switching 100%AvalancheTested RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free, RoHSCompliant2. FeaturesKNX2803A designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance.Addition
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .