P2803NVG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P2803NVG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P2803NVG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2803NVG даташит

 ..1. Size:547K  unikc
 p2803nvg.pdf pdf_icon

P2803NVG

P2803NVG N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 27.5m @VGS = 10V 30V 7A N 34m @VGS = -10V -30V -6A P SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 7 TC = 25 C P -6 ID Co

 9.1. Size:324K  unikc
 p2803hvg.pdf pdf_icon

P2803NVG

P2803HVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 27.5m @VGS = 10V 6.5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 6.5 ID Continuous Drain Current2 TA = 70 C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Curre

 9.2. Size:334K  unikc
 p2803bmg.pdf pdf_icon

P2803NVG

P2803BMG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 28m @VGS = 10V 6A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C 6 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 4 A IDM 30 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 21 L = 0.

 9.3. Size:315K  kia
 knp2803a knb2803a knd2803a kny2803a.pdf pdf_icon

P2803NVG

150A 30V KNX2803A N-CHANNEL MOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =2.2m typ. @ V =10V DS(on) GS Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant 2. Features KNX2803A designed by the trench processing techniques to achieve extremely l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P5504EDG, P5504EVG, P5506BDG, P5506BVG, P5506HVG, P5506NVG, P2803BMG, P2803HVG, IRFB4110, P2904BD, P5010AV, P5015ATF, P5015BD, P5015BTF, P50N03LTG, P5803NAG, P5806NVG