Справочник MOSFET. P2803NVG

 

P2803NVG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P2803NVG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P2803NVG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P2803NVG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  unikc
p2803nvg.pdfpdf_icon

P2803NVG

P2803NVGN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel27.5m @VGS = 10V30V 7A N34m @VGS = -10V-30V -6A PSOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 7TC = 25 CP -6IDCo

 9.1. Size:324K  unikc
p2803hvg.pdfpdf_icon

P2803NVG

P2803HVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 27.5m @VGS = 10V 6.5ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C6.5IDContinuous Drain Current2TA = 70 C5AIDM30Pulsed Drain Curre

 9.2. Size:334K  unikc
p2803bmg.pdfpdf_icon

P2803NVG

P2803BMGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 28m @VGS = 10V 6ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSGate-Source Voltage VGS20 VTA = 25 C6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C4AIDM30Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 21L = 0.

 9.3. Size:315K  kia
knp2803a knb2803a knd2803a kny2803a.pdfpdf_icon

P2803NVG

150A30VKNX2803AN-CHANNEL MOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =2.2mtyp.@ V =10VDS(on) GS Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant2. FeaturesKNX2803A designed by the trench processing techniques to achieve extremely l

Другие MOSFET... P5504EDG , P5504EVG , P5506BDG , P5506BVG , P5506HVG , P5506NVG , P2803BMG , P2803HVG , IRF640N , P2904BD , P5010AV , P5015ATF , P5015BD , P5015BTF , P50N03LTG , P5803NAG , P5806NVG .

History: HAT2171N | SVD540T | SM3419NHQA | RS1G180MN | IRFN214BTAFP001 | CPH6311 | KQB2N50

 

 
Back to Top

 


 
.