PV601CA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PV601CA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PV601CA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV601CA даташит

 ..1. Size:788K  unikc
 pv601ca.pdf pdf_icon

PV601CA

PV601CA N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 22m @VGS =10V 30V 7A N 28m @VGS = -10V -30V -6.4A P SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 7 TA = 25 C P -6.4 ID Cont

 ..2. Size:362K  niko-sem
 pv601ca.pdf pdf_icon

PV601CA

N- & P-Channel Enhancement Mode Field PV601CA NIKO-SEM SOP-8 Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 30V 22m 7A G GATE P-Channel -30V 28m -6.4A D DRAIN S SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL N-Channel P-Channel UNITS Drain-Source Voltage VDS

Другие IGBT... PV501BA, PV507BA, PV510BA, PV516DA, PV537BA, PV548BA, PV551BA, PV600BA, STP75NF75, PV604CA, PV606BA, PV628BA, PV628DA, PV650BA, P6002OAG, P6003QEA, P6004ED