P6006HV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P6006HV  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P6006HV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6006HV даташит

 ..1. Size:466K  unikc
 p6006hv.pdf pdf_icon

P6006HV

P6006HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 60V 4.5A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 4.5 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 3.2 A IDM 20 Pulsed Drain Cur

 9.1. Size:493K  unikc
 p6006bd.pdf pdf_icon

P6006HV

P6006BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60m @VGS = 10V 60V 21A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 21 ID Continuous Drain Current TC = 100 A C 17 IDM 85 Pulsed Drain Current1

 9.2. Size:329K  unikc
 p6006bi.pdf pdf_icon

P6006HV

P6006BI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 60V 65m @VGS = 10V 18A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 18 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 11.8 A IDM 34 Pulsed Drain Current1

 9.3. Size:127K  maxpower
 mxp6006ct.pdf pdf_icon

P6006HV

MXP6006CT Preliminary Datasheet 60V N-Channel MOSFET Applications Power Supply VDSS RDS(ON) (Max) IDa DC-DC Converters 60 V 6.0 m 116 A Features LeadFree Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Change for Fast Switching Application Optimized BVDSS Capability Ordering Information Part Number Package Brand MXP6006CT TO220 MXP Absolute Maximu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PV628BA, PV628DA, PV650BA, P6002OAG, P6003QEA, P6004ED, P6006BD, P6006BI, K4145, P6010DDG, P6010DTFG, P6010DTG, P6015AD, P6015AT, P6015AV, P6015CDG, P6015CSG