Справочник MOSFET. P6403FMG

 

P6403FMG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P6403FMG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для P6403FMG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6403FMG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  unikc
 p6403fmg.pdf pdf_icon

P6403FMG

P6403FMGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID64m @VGS = -4.5V-30V -3ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-2.3AIDM-20Pulsed Drain C

Другие MOSFET... P6010DTFG , P6010DTG , P6015AD , P6015AT , P6015AV , P6015CDG , P6015CSG , P6402FMG , IRFP450 , P6503FM , P6503FM6 , P6503FMA , P6803HVG , PK610SA , PK612DZ , PK615BM6 , PK615BMA .

 

 
Back to Top

 


 
.