P6403FMG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P6403FMG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.9 nC
Время нарастания (tr): 135 ns
Выходная емкость (Cd): 147 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.064 Ohm
Тип корпуса: SOT23
P6403FMG Datasheet (PDF)
..1. Size:437K unikc
p6403fmg.pdf
p6403fmg.pdf
P6403FMGP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID64m @VGS = -4.5V-30V -3ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-2.3AIDM-20Pulsed Drain C
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
