P6403FMG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P6403FMG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 147 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P6403FMG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P6403FMG даташит

 ..1. Size:437K  unikc
 p6403fmg.pdf pdf_icon

P6403FMG

P6403FMG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 64m @VGS = -4.5V -30V -3A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 12 TA = 25 C -3 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -2.3 A IDM -20 Pulsed Drain C

Другие IGBT... P6010DTFG, P6010DTG, P6015AD, P6015AT, P6015AV, P6015CDG, P6015CSG, P6402FMG, NCEP15T14, P6503FM, P6503FM6, P6503FMA, P6803HVG, PK610SA, PK612DZ, PK615BM6, PK615BMA