Справочник MOSFET. P6503FM6

 

P6503FM6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P6503FM6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6

 Аналог (замена) для P6503FM6

 

 

P6503FM6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:483K  unikc
 p6503fm6.pdf

P6503FM6 P6503FM6

P6503FM6P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID65m @VGS = -4.5V-30V -3.6ASOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-3.6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3AIDM-19Pulsed Drai

 7.1. Size:754K  unikc
 p6503fma.pdf

P6503FM6 P6503FM6

P6503FMAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID55m @VGS = -10V-30V -3.1ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 12 VTA = 25 C-3.1IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.4IDM-12Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.96

 7.2. Size:367K  unikc
 p6503fm.pdf

P6503FM6 P6503FM6

P6503FMP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-30V 65m @VGS = -4.5V -3.6ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-3.6IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-3AIDM-19Pulsed Drain C

 9.1. Size:481K  niko-sem
 p6503nj.pdf

P6503FM6 P6503FM6

P6503NJNIKO-SEM N- & P-Channel Enhancement Mode TSOPJW-8Field Effect Transistor PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G : GATE 65m N-Channel 30 4A D : DRAIN S : SOURCE150m -3A P-Channel -30 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL N-Channel P-Channel UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Vo

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top