PK612DZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PK612DZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PK612DZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK612DZ даташит

 ..1. Size:1263K  unikc
 pk612dz.pdf pdf_icon

PK612DZ

PK612DZ Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID CH. 1.9m @VGS = 10V 30V 95A Q2 5.5m @VGS = 10V 30V 48A Q1 PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS UNITS Q2 30 VDS Drain-Source Voltage Q1 30 V Q2 20 VGS Gate-Source Voltage Q1 20 Q2 95 TC = 25 C

Другие IGBT... P6015CSG, P6402FMG, P6403FMG, P6503FM, P6503FM6, P6503FMA, P6803HVG, PK610SA, BS170, PK615BM6, PK615BMA, PK616BA, PK618BA, PK626BA, PK632BA, PK636BA, PK650BA