PK615BMA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK615BMA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
Тип корпуса: SOT23S
Аналог (замена) для PK615BMA
PK615BMA Datasheet (PDF)
pk615bma.pdf

PK615BMAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6 @VGS = 10V150V 0.45ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C0.45IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC0.3IDM2.2Pulsed Drai
pk615bm6.pdf

PK615BM6N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.6 @VGS = 10V150V 0.37ASOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 150 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C0.37IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC0.29IDM2.2Pulsed Drai
Другие MOSFET... P6403FMG , P6503FM , P6503FM6 , P6503FMA , P6803HVG , PK610SA , PK612DZ , PK615BM6 , IRFP250 , PK616BA , PK618BA , PK626BA , PK632BA , PK636BA , PK650BA , PK664BA , PK696BA .
History: TSM2611EDCX6 | TSM2318CX | PQ5G4JN | HAT1065R
History: TSM2611EDCX6 | TSM2318CX | PQ5G4JN | HAT1065R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115